古鳌科技回复深交所问询函，称新存科技三维新型存储芯片项目进展顺利，预计 2024 年完成技术研发和性能优化，良品率达 50%。
【5 月 29 日，古鳌科技(300551)回复深交所问询函】
上海昊元古投资新存科技时的商业计划显示，新存科技预计 2024 年第三季度完成三维新型存储芯片技术研发和性能优化，良品率预计届时达 50%。
目前，新存科技三维新型存储芯片项目已完成测试芯片和原型芯片开发，正进行产品芯片优化，并开启实验性试产。
预计完成三维新型存储芯片技术研发和性能优化及产品良品率在 2024 年达到 50%的目标不存在实质性障碍，相应研发进程将根据客户实际需求调整。
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